快科技3月30日音书郴州钢绞线，据韩媒ETNEWS报说念，位于西安的三星电子NAND晶圆厂已老成罢了V8（236层堆叠）3D NAND闪存的量产。

本次制程升责任自2024年启动，在原有V6（128层）NAND坐蓐线基础上完成技巧校阅，旨在提高居品能与坐蓐率，知足AI期间对能存储斥地的需求。

在量产V8 NAND后，三星西安晶圆厂的下步已对准286层堆叠的V9 NAND，关连坐蓐线将位于X2工场，策画在2026年内完成调养并运转大规模坐蓐。

据悉，3D NAND 闪存的堆叠层数是掂量厂商技巧实力的中枢主见，的堆叠层数可罢了大的单芯片存储容量、的读写能与低的单元存储资本郴州钢绞线，是大师存储厂商技巧竞赛的中枢赛说念。

值得提的是，大的NAND闪存制造商长江存储（YMTC）早已罢了294层闪存的量产，其自研的Xtacking4.0技巧是将堆叠层数向300层以上。

这使得其他厂商越来越难以挣扎来自原土的200层以下闪存居品的竞争。

在技巧竞赛的同期郴州钢绞线，韩国巨头正接收"价钱御"战术，三星策画将NAND晶圆年产量从2025年的490万片降至2026年的468万片，SK海力士也将从190万片降至170万片，锚索减幅均约10。

市集磋商机构Omdia指出，韩国厂商此举意在先保险利润的DRAM和HBM产能，同期搪塞长江存储在通用型NAND市集的热烈竞争。

从市集份额看，三星、SK海力士计占据大师NAND市集60份额，而长江存储已跃居大师三大3D NAND闪存厂商。

技巧层面，长江存储在存储密度上已达到天下先水平，良品率巩固结巴90，大幅提高了资本竞争力。

产能面，长江存储武汉三期工场展望2026年下半年投产，月产能方向冲刺30万片晶圆，三年内产能接近翻倍。

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